当天，在2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上，吴玲代表第三代半导体产业技术创新战略联盟发布《第三代半导体产业发展报告》（下简称“报告”）。
报告显示，2023年，第三代半导体功率电子器件模块市场达到153.2亿元，同比增长45%；射频电子器件模块市场约102.9亿元，同比增长16.2%；LED器件市场782.2亿元，同比微增0.5%。
新能源汽车为市场增长的主要驱动力。据统计，在功率电子器件模块市场，来自新能源汽车的业务占比超过70%。
面对巨大的市场需求，车企纷纷布局第三代半导体业务。如比亚迪借助子公司比亚迪半导体重金投入，蔚来建设了SiC功率模块工艺试验线；三大汽车央企均选择合资模式，如上汽集团与英飞凌合资成立上汽英飞凌，上汽集团还与上海微技术工业研究院成立上海汽车芯片工厂中心；此外，一批汽车企业选择战略投资功率半导体企业，如小鹏投资天岳先进和瞻芯电子。
报告还显示，2023年，第三代半导体功率电子领域融资项目78起，披露金额约440亿元，相较于2022年的披露金额63.2亿元大幅增长。行业内出现多起大额融资，如积塔半导体融资135亿元、长飞先进融资超38亿元，三安光电获股东增资100亿元等。
吴玲介绍，国内第三代半导体技术和产业取得显著进步。国产6寸衬底+外延实现批量生产，国内主流厂商8英寸SiC衬底基本完成送样，预期在2025年前后量产；国产SiC MOSFET在光、储、充领域全面开始导入，汽车主驱2024小批量导入；企业开始布局或开发沟槽栅SiC MOSFET，三安集成、中车时代，积塔、华为、华润微、士兰微等都规划开发沟槽栅SiC MOSFET，多个企业已获得相关专利。
吴玲同时提到，当前，我国第三代半导体技术和产业发展面临着诸多挑战，如核心材料和器件的规模化生产能力亟待突破；开放的、企业深度有效参与的研发中试和验证平台能力有待提升；企业小、散、弱，低水平同质竞争，产业集中度低，产业体系和生态亟待完善；标准、检测认证、质量评价体系、各层次人才队伍相比产业发展滞后，亟需加强等。
